威世说明书大全

VISHAY Si4830ADY Vishay Siliconix 数据手册(1)

该文件介绍了Si4830ADY产品的特点和特性,包括Little Foot Plus Schottky,Pin Compatible,PWM Optimized等特点,并提供了该产品的应用领域。

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VISHAY Si4830ADY Vishay Siliconix 数据手册

Si4370DY是Vishay Siliconix发布的一款双N通道30V(D-S) MOSFET与肖特基二极管的组合器件,具有高耐压、低导通电阻、低栅极电流等特点,适用于不对称升降压DC/DC转换器。

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VISHAY MBR15HxxCT MBRF15HxxCT & MBRB15HxxCT series 数据手册(1)

该文件介绍了一种新产品的布局信息和尺寸规格。该产品的型号为MBRF15HxxCT,属于TO-263AB、TO-220AB和ITO-220AB封装类型。它具有可靠的外壳设计和适合的安装垫片布局。

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VISHAY MBR15HxxCT MBRF15HxxCT MBRB15HxxCT series 数据手册

本文件为MBRB15HxxCT产品的封装尺寸图纸

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Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K 说明书

该文档描述了Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K N-Channel 60-V (D-S) MOSFET的特性和特点,包括N-Channel Vertical DMOS结构、Level 3 MOS模型、适用于线性和开关应用、温度范围广等。同时,该文档也介绍了该器件的子电路模型原理和参数优化方法。

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VISHAY 2N7000KL/BS170KL 数据手册

2N7000KL/BS170KL是N型沟道60V(D-S)MOSFET,具有ESD保护,可用于直接逻辑电平接口、固态继电器、驱动器等。

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VISHAY BUD744 说明书

BUD744是一款高压开关型晶体管,具有简单开关关断晶体管(SWOT) 、高速度技术、平面钝化、100kHz开关速率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和度、非常低的操作温度、优化的RBSOA、高反向电压等特点,应用于电子灯泡镇流器电路和开关电源电路。

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VISHAY BUD742 说明书

BUD742是Vishay Telefunken生产的一款高压开关型晶体管,具有高开关频率、低开关损耗、低动态饱和等特点,主要应用于电子灯泡镇流器电路和开关电源电路

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VISHAY BUD7312 说明书

BUD7312是Vishay Telefunken生产的一款高压开关型NPN晶体管,具有简单的开关特性(SWOT)、高速技术、平面钝化、100kHz开关速率、极低的开关损耗、极低的动态饱和、极低的操作温度、优化的RBSOA和高反向电压。

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VISHAY BUD725D 说明书

该文档介绍了Vishay Telefunken的BUD725D硅NPN高压开关晶体管的特点和特性,包括集成的C-E自由轮二极管、SWOT技术、高速技术、平面封装、100 kHz开关速率等。

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VISHAY BUD700D 说明书

BUD700D是Vishay Telefunken生产的一款高压开关型晶体管,具有集成C-E自由轮换二极管、简单开关关断晶体管(SWOT)、高速度技术、平面钝化、100kHz开关速率、极低开关损耗、极低动态饱和、极低工作温度、优化RBSOA和高反向电压等特点。应用于电子灯泡镇流器电路。

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VISHAY BUD636A 说明书

BUD636A是Vishay Telefunken生产的高压开关晶体管,采用简单开关关断晶体管(SWOT)技术、高速度技术、平面钝化技术,具有100kHz的开关频率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和、非常低的操作温度、优化的RBSOA和高反向电压

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VISHAY BUD630 说明书

BUD630是Vishay Telefunken生产的一款高压开关晶体管,其特点是具有简单的开关关断晶体管(SWOT)、高速度技术、平面钝化、100千赫开关率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和、非常低的操作温度、优化的RBSOA和高反向电压。

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VISHAY BUD620 说明书

这是一份关于Vishay Telefunken的BUD620高压开关晶体管的文档。该晶体管具有简单的开关功能、高速技术、平面钝化、100 kHz的开关频率等特点。

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VISHAY BUD616A 说明书

该文件介绍了Vishay Telefunken公司的BUD616A硅NPN高压开关晶体管的特点和特性,包括简单的开关关断晶体管(SWOT)、高速技术、平面封装、100 kHz的开关频率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和度、非常低的工作温度、优化的可靠性限制区域(RBSOA)和高反向电压等。

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VISHAY BZT03D Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors数据手册

BZT03D 是 Vishay Telefunken 推出的一款硅 Z 型二极管和瞬态电压抑制器。该器件采用玻璃钝化结和密封封装,具有皮秒级钳位时间。它适用于中功率电压调节器和中功率瞬态抑制电路。

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VISHAY BFG67 数据手册

BFG67是Vishay Telefunken生产的一种硅NPN平面RF晶体管,具有小反馈电容、低噪声系数和高转换频率等特点。

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VISHAY BFQ67/BFQ67R/BFQ67W 数据手册

BFQ67/BFQ67R/BFQ67W 是Vishay Telefunken生产的 硅NPN Planar RF晶体管,具有低噪声、小反馈电容、高转换频率等特点。

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VISHAY BF998/BF998R/BF998RW Vishay Telefunken www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600 Rev. 4, 23-Jun-99 1 (9) Document Number 85011 N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mo

BF998/BF998R/BF998RW 是一款双栅极 N 通道 MOS 场效应四极管,工作模式为耗尽模式。该产品具有静电敏感性,在使用时应注意防护。该产品主要应用于 UHF 调谐器的输入和混频级。产品特点包括:集成栅极保护二极管、低噪声系数、低反馈电容、高交叉调制性能、低输入电容、高 AGC 范围和高增益。

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VISHAY BF996S N–Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 数据手册

该文件介绍了BF996S型号的Vishay Telefunken N-Channel双栅MOS场效应四极管,主要用于UHF调谐器的输入和混频阶段。该产品具有集成的门保护二极管、低噪声系数、低反馈电容、高交叉调制性能、低输入电容和高AGC范围等特点。

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