东芝说明书大全
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K03FE 数据手册
SSM3K03FE是由TOSHIBA生产的N沟道MOS场效应晶体管，其特点是2.5V栅极驱动、高输入阻抗、低栅极阈值电压(Vth=0.7~1.3V)、小封装。
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K02F 数据手册
SSM3K02F是东芝公司生产的一款N沟道MOS管，其主要特性包括：低阻抗、低门限电压、高开关速度等。
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K01T 数据手册
该文档介绍了SSM3K01T型号的TOSHIBA场效应晶体管的特性和特点，包括高速开关应用、小型封装、低导通电阻和低门阈电压。
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J14T 数据手册
SSM3J14T 是东芝公司生产的一款P沟道MOS型场效应晶体管，适用于功率管理开关DC-DC转换器，具有体积小、开关速度快、低阻抗等特点。
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3J13T 数据手册
SSM3J13T是TOSHIBA公司生产的一款P沟道MOS类型的场效应晶体管，具有小封装、低导通电阻、低栅极阈值电压等特点，适用于高频开关应用
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TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type SSM3J117TU 数据手册
SSM3J117TU是一款高性能的4V驱动P通道MOS管，具有低导通电阻和高开关速度。
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J09FU 数据手册
该文档介绍了SSM3J09FU型号的特点和特性，包括小封装、低导通电阻和高速开关应用等。
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J02T 数据手册
该文档介绍了SSM3J02T型号的场效应晶体管的特点和特性，包括适用于高密度安装的组件封装、低开通电阻、低电压操作等。同时给出了该型号的最大额定值，如漏极-源极电压、栅极-源极电压、漏极电流等。
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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J02F 数据手册
SSM3J02F是TOSHIBA生产的一款高性能场效应晶体管，具有小型封装、低开关阻抗、低门槛电压等特点
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TOSHIBA SSM3J01T 数据手册
SSM3J01F是一种由东芝生产的P沟道MOS型场效应晶体管，适用于高速度开关应用。该晶体管具有小封装、低导通电阻、低栅极阈值电压等特点。
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TOSHIBA 32 bit TX System RISC TX19A Family TMP19A64F20AXBG 数据手册(2)
TMP19A64F20AXBG 是一款32位RISC微处理器，集成了TX19A处理器核心和各种外围功能，在低电压下工作，功耗低。
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TOSHIBA 32 bit TX System RISC TX19A Family TMP19A64F20AXBG 数据手册(1)
TMP19A64C1DXBG是东芝公司推出的一款32位RISC微处理器，该产品采用高效代码的MIPS16TMASE扩展指令集，具有高性能和低功耗的特点。
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TOSHIBA 32 bit TX System RISC TX19A Family TMP19A64F20AXBG 数据手册
TMP19A43 是 32 位 RISC 微处理器，带有 TX19A 处理器核心和各种外围功能集成到一个封装中。它可以在低电压下以低功耗运行。
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TOSHIBA 32-Bit TX System RISC TX19 Family TMP1940CYAF/TMP1940FDBF 数据手册
This document provides an overview of the TMP1940CYAF/TMP1940FDBF, a 32-Bit TX System RISC TX19 Family microcontroller from TOSHIBA.
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