东芝说明书大全

TOSHIBA CT60J322 数据手册

本文介绍了TOSHIBA GT60J322绝缘栅双极晶体管的特点和特性,包括增强模式、低饱和电压和最大额定值等。

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TOSHIBA CT60J321 数据手册

GT60J321是东芝生产的一款绝缘栅双极型晶体管,属于N型沟道IGBT,具有增强型模式、高速度和低饱和电压的特点。

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TOSHIBA CRS09 数据手册

CRS09 是东芝生产的肖特基二极管,额定平均正向电流为1.5A,额定反向峰值电压为30V。

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TOSHIBA CRS08 数据手册

这份文件介绍了CRS08型号的TOSHIBA施托基势垒整流器的特点和特性,适用于开关模式电源、便携设备和电池应用。其具有低正向电压、适中的平均正向电流和循环峰值反向电压等特性。

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TOSHIBA CRS06 数据手册

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TOSHIBA CRS04 数据手册

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TOSHIBA CRS03 数据手册

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TOSHIBA CRS02 数据手册

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TOSHIBA CRS01 数据手册

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K17FU 数据手册

SSM3K17FU 是一款高压、高频开关场效应晶体管,具有小型封装和高可靠性。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K17FU 说明书

SSM3K17FU 是东芝生产的一种高端场效应晶体管。它具有高电压、高速度和高密度等特点,适用于高密度安装、高压开关和模拟开关应用。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K16TE 说明书

SSM3K16TE是东芝生产的N沟道MOSFET,具有高开关速度和低导通电阻的特点,适用于高密度封装和模拟开关应用。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K16FU 说明书

SSM3K16FU是东芝生产的一款N沟道MOSFET晶体管,适用于高密度安装和高性能开关应用场景。其特点是低导通电阻,最大工作电压为20V,最大工作电流为100mA,最大功耗为150mW。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K15FU 数据手册

SSM3K15FU是一种TOSHIBA场效应晶体管,适用于高速开关和模拟开关应用。它具有小封装和低导通电阻的特点。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) SSM3K14T 数据手册

该文档介绍了TOSHIBA的SSM3K14T场效应晶体管,是一种用于DC-DC转换器高速开关应用的小型封装产品。它具有低导通电阻、高速开关等特点。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Lateral) SSM3K11T 数据手册

SSM3K11T是一种TOSHIBA场效应晶体管硅N沟道MOS型(横向)器件。它适用于DC-DC转换器高速开关应用,具有超高速开关、低反向传输电容、薄型封装和低导通电阻等特点。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K09FU 数据手册(1)

该文档介绍了TOSHIBA品牌的SSM3K09FU型号场效应晶体管的特点和特性,适用于高速开关应用。其特点包括封装小、低导通电阻等。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K09FU 数据手册

该文件介绍了 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K09FU 的特点和特性,适用于高速开关应用,具有小封装和低导通电阻等特点。

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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K05FU 数据手册

该文件介绍了TOSHIBA的SSM3K05FU型号场效应晶体管的特点和特性,包括小尺寸、低导通电阻和低门阈电压等。

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