ST说明书大全
ST L6563 L6563A Advanced transition-mode PFC controlle 说明书(1)(1)
L6563和L6563A是先进的过渡模式PFC控制器，具有精确可调的过压保护、跟踪增强功能、反馈回路故障保护、级联变换器PWM控制器接口等特点。适用于高端AC-DC适配器/充电器、台式电脑、服务器、WEB服务器、符合IEC61000-3-2或JEIDA-MITI标准的超过350W的开关电源等应用。
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ST L6562 TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER 说明书(1)
该文件介绍了L6562的特点和特性，包括BCD技术、过渡模式控制、多路设计、调整输出过压保护、低启动电流和静态电流等。
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ST L6562A Transition-mode PFC controller 说明书
该文档是关于一款新产品的初步信息，该产品正在开发或评估中。具体细节可能会有变化。该产品是一款转换模式功率因数校正控制器，具有最小谐波失真的专有乘法器设计、可调节输出过压保护、超低启动电流、低静态电流等特点。适用于IEC61000-3-2标准的开关电源前级调节器、高端交流-直流适配器/充电器、电子镇流器、入门级服务器和网络服务器等应用。
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ST L6562A Transition-mode PFC controller 说明书
L6562A 是 ST 公司的一款过渡模式 PFC 控制器，具有以下特点：专有的乘法器设计可实现最小 THD、非常精确的可调输出过压保护、超低（30µA）启动电流、低（2.5mA）静态电流、数字前沿消隐电流检测、E/A 输入上的禁用功能、1.4%（@ TJ = 25 °C）内部参考电压、-600/+800mA totem pole 栅极驱动器、UVLO 期间的活动拉下以及电压钳。
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ST L6562 TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER 说明书
L6562是德州仪器公司推出的一款转换模式PFC控制器，该器件采用BCD工艺制造，具有低启动电流、低静态电流、扩展的IC电源电压范围、片上滤波器的当前感应、禁用功能、1%（@ Tj = 25°C）内部参考电压、-600/+800mA totem pole门驱动器与UVLO下拉和电压夹等特点。该器件应用于PFC预调节器，适用于IEC61000-3-2 标准的SMPS（电视、台式PC、显示器）等设备。
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ST L6561 POWER FACTOR CORRECTOR 说明书(2)
L6561是一种改进型功率因数校正器，其输出电压过压保护精度很高，启动电流微小，工作电流很低，具有内部启动定时器，集成电流检测滤波器，可禁用功能，内部参考电压精度为1％，工作于过渡模式，输出电流为±400mA，封装为DIP-8/SO-8。
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ST L6561 POWER FACTOR CORRECTOR 说明书(1)
L6561 是 L6560 标准功率因数校正器的改进版。与标准版本完全兼容，它具有优异的乘法器，使器件能够在宽输入电压范围应用中工作（从 85 V 到 265 V），具有出色的 THD。此外，启动电流已降低到几十 mA，并在 ZCD 引脚上实现了禁用功能，保证了待机模式下较低的电流消耗。采用混合 BCD 工艺制造的芯片具有以下优点：– 微功率启动电流– 1% 精度内部参考电压（Tj = 25°C）– 软输出过电压保护– 不需要在电流检测上使用外部低通滤波器– 非常低的操作静态电流可最小化功耗。该 totem 极输出级能够驱动具有源和漏电流为 ±400mA 的功率 MOS 或 IGBT。该器件在过渡模式下工作，并且针对电子灯泡镇流器应用、交流-直流适配器和开关电源进行了优化。
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ST BTA 12 B/C,BTB 12 B/C 说明书
该文件介绍了BTA12 B/C BTB12 B/C三极管的技术参数和特性，包括最大工作温度、最大电流、绝缘电压等。
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ST STP6NA80/STP6NA80FI 说明书
该文件介绍了STP6NA80和STP6NA80FI型号的N沟道增强模式快速功率MOS晶体管的特点和特性，包括低RDS(on)和栅极电荷、卓越的耐用性和优异的开关性能。
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ST STP6LNC60 STP6LNC60FP 说明书
STP6LNC60/STP6LNC60FP是一款600V-1Ω-5.8A的N沟道MOSFET，应用于高电流、高速度开关、开关电源（SMPS）、DC-AC转换器、焊接设备和不间断电源、电机驱动等领域。
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ST STD65NF06 STP65NF06 说明书
STD65NF06 STP65NF06 N-channel 60V - 11.5mΩ - 60A - DPAK/TO-220 STripFET™ II Power MOSFET是STMicroelectronics公司推出的一款新型功率MOSFET，该产品具有标准水平门驱动、100%雪崩测试等特点，可应用于开关应用中。
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ST STP62NS04Z 说明书(1)
STP62NS04Z是凌通科技生产的一款N沟道CLAMPED MOSFET，具有低RDS(on)、100%防雪崩和175°C最大结温等特点，适用于汽车电子等恶劣环境
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ST STP62NS04Z 说明书(1)(1)
该文件是STP62NS04Z N-channel clamped 12.5mΩ - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET 的数据手册
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ST STP60NS04ZB 说明书
STP60NS04ZB N-channel clamped - 10mΩ - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay™ Power MOSFET是ST公司最新研发的一款功率MOS管，具有100% 雪崩测试、低电容和栅极电荷、175℃最大结温等特点。该产品适用于汽车等恶劣环境。
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ST STP60NS04ZB 说明书
该文件介绍了2002年11月1/8的STP60NS04ZB N-CHANNEL CLAMPED 10mΩ - 60A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY™ MOSFET的技术特点。该产品采用先进的Mesh Overlay工艺，具有额外的夹紧能力，适用于汽车等恶劣环境中的应用。
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ST STP60NS04Z 说明书
该文件介绍了STP60NS04Z N型沟道夹紧MOSFET的特点和特性，包括低电阻、100%的雪崩测试、低电容和栅电荷以及175℃的最高结温。该产品采用最新的Mesh Overlay工艺生产，适用于汽车环境和需要额外坚固性的其他应用。
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