西门子说明书大全

SIEMENS BAT 114-099R 数据手册

BAT 114-099R 是半导体公司生产的一种硅肖特基二极管,其最大额定值为 IF = 90 mA,工作温度范围为 -55 至 +150 °C,存储温度范围为 -55 至 +150 °C,功耗为 100 mW。该二极管具有高阻断电压,适用于双平衡混频器、相位检测器和调制器。

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SIEMENS BAT 114-099 数据手册

本文介绍了一种半导体器件——双Schottky二极管BAT 114-099。该器件具有高障碍二极管特性,适用于平衡混频器、相位检测器和调制器等应用。

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西门子 BFQ 82 数据手册

BFQ 82是一种NPN硅射频晶体管,适用于低噪声、高增益放大器,频率范围高达2 GHz。它具有线性宽带应用和封装密封陶瓷包装的特点。

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西门子 BFQ 81 数据手册

BFQ 81是一款NPN硅射频晶体管,适用于2GHz以下的低噪声放大器和宽频带模拟和数字应用,电流范围为0.5mA至20mA。

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西门子 BFQ 75 数据手册

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西门子 BFQ 74 数据手册

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西门子 BFQ 73S 数据手册

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西门子 BFQ 72 数据手册

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西门子 BFQ 71 数据手册

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西门子 BFQ 70 数据手册

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西门子 BFQ 69 数据手册

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西门子 BFQ 64 数据手册

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西门子 BFQ 60 数据手册

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西门子 BFQ 29P 数据手册

BFQ 29P是NPN硅射频晶体管,最大集电极-发射极电压为15V,最大发射极-基极电压为3V,最大集电极电流为30mA,最大集电极-基极电压为20V,最大基极电流为4mA,工作温度范围为-65...+150℃,封装形式为SOT-23。

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西门子 BFQ 28 数据手册

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SIEMENS BFQ193 数据手册

BFQ 193 NPN Silicon RF Transistor是Semiconductor Group生产的一种低噪声,高增益放大器,可用于2GHz内的应用

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SIEMENS TDA 4601 数据手册

TDA 4601是专为开关模式电源设计的集成电路,用于驱动、控制和保护自振式飞回式转换器电源中的开关晶体管,以及保护整个电源单元。在干扰发生时,可防止二次电压升高。除了电视机、录像机、高保真设备和有源扬声器等IC应用范围外,由于其控制范围广,在负载变化增大时电压稳定性高,因此也可用于专业应用的电源单元。

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SIEMENS Silicon N Channel MOSFET Tetrode BF 997 数据手册

BF997是德州仪器公司生产的一种N沟道MOSFET,具有抑制杂散VHF振荡的集成抑制网络,适用于VHF应用,尤其是带有扩展VHF带宽的电视调谐器,例如CATV调谐器。

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SIEMENS Silicon N Channel MOSFET Tetrode BF 996 S 数据手册

这是一款BF996S型号的N通道MOSFET管,具有高导通率和低噪声特征,适用于UHF电视机的输入级

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SIEMENS Silicon N Channel MOSFET Triode BF 987 数据手册

该文件介绍了BF 987 G型号的硅N沟道MOSFET三极管,适用于高频级别高达300 MHz的应用,特别适用于FM应用。它具有高过载能力。

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