intersil说明书大全

ISL6440 是高性能，双路输出 PWM 控制器，可将墙壁适配器，电池或网络中间总线的直流输入电源转换为多种应用所需的系统电源电压。每个输出可调低至 0.8V。两个 PWM 成 180°异相同步，减少了输入电流和纹波电压的有效值（RMS）。

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ISL6410和ISL6410A是同步电流模式PWM调节器，设计用于为微控制器、微处理器、CPLD、FPGA、核处理器/BBP/MAC和ASIC提供完整的DC-DC解决方案。ISL6410适用于输入电压为3.3V±10%的应用，而ISL6410A适用于输入电压为5.0V±10%的应用。这些同步电流模式PWM调节器集成了N-和P-通道功率MOSFET，并提供预设的可编程输出。采用内部MOSFET的同步整流可实现更高的效率和减少外部元件数量。750kHz的工作频率允许使用小电感和电容值。该器件可以与外部时钟信号同步，范围为500kHz至1MHz。当输出电压超出调节限制时，会产生功率良好信号“PG”。其他功能包括过电流保护和热过载关闭。ISL6410和ISL6410A可在MSOP 10引脚封装中获得。

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ISL6123, ISL6124, ISL6125, ISL6126, ISL6127, ISL6128 是一款四通道电源控制器，支持供电监控、故障保护和“序列完成”信号（RESET#）。

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ISL43L710, ISL43L711, ISL43L712 超低 ON 电阻、单电源、差分 SPST 模拟开关

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ICL7112是一种单片式12位分辨率、快速连续逼近A/D转换器。它采用薄膜电阻和CMOS电路结合芯片上的PROM校准表，实现了12位线性度，无需激光修整。DAC和比较器采用了特殊的设计技术，实现了高速操作，而完全静态硅门CMOS电路使功耗非常低。通过使用标准的存储器写入和读取周期定时和控制信号，结合芯片选择和地址引脚，可以简化与微处理器总线的接口。数字输出引脚按字节组织，并通过三态门进行总线接口，适用于8位和16位系统。ICL7112提供了独立的模拟和数字地面，以提高系统精度。在±5V电源下工作，ICL7112接受0V至+10V输入（-10V参考）或0V至-10V输入（+10V参考）。

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HI5905N/QML是Intersil公司推出的一款14位、5MSPS的军用A/D转换器，采用先进的BiCMOS工艺制造，具有宽带宽、低功耗和优异的SINAD性能，适用于各种需要高速度、高分辨率的军事应用。

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该数据手册介绍了HI-5042, HI-5043, HI-5047, HI-5049, HI-5051 CMOS Analog Switches系列器件的特点和特性。该系列器件具有低阻抗开关性能，可用于高达电源电压的模拟电压和高达80mA的信号电流。

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HCTS299MS 是 Intersil 公司生产的 8 位通用移位寄存器，具有三态功能。该产品采用 3 微米的辐射致硬化 CMOS SOS 工艺，具备 200K RAD (Si) 总剂量、>100 MEV-cm2/mg SEP 有效 LET 无故障、< 2 x 10-9 错误/位天 (典型值) 的单事件扰动 (SEU) 免疫力、>1 x 1012 RAD (Si)/s 剂量率生存能力和>1010 RAD (Si)/s 20ns 脉冲的剂量率扰动。该产品不受任何条件的锁存影响，并支持 15 LSTTL 负载的总线驱动器输出。

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HUF76139P3/S3S是Intersil生产的N通道逻辑电平功率MOSFET，具有75A、30V、0.0075 Ohm的性能，适用于需要高功效的应用场景，例如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理

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HUF76137P3, HUF76137S3S 75A, 30V, 0.009 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low- voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products. Formerly developmental type TA76137.

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该产品是一款N沟道电源MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺制造，具有极低的开关电阻，可用于要求高功率效率的应用场景，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理

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这个文档介绍了HUF76132P3和HUF76132S3S两款N-Channel功率MOSFET产品的特点和特性。这些产品采用了创新的UltraFET™工艺，具有很低的导通电阻、高能量耐受能力和低反向恢复时间。适用于功率效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、马达驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携和电池操作产品的功率管理。

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本文件是关于HUF76131SK8 10A, 30V, 0.013 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET的技术手册，介绍了该产品的特点特性

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这是一款N-Channel电源MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺制造，具有极低的导通电阻，能够承受高能量浪涌，具有非常低的反向恢复时间和存储电荷，非常适用于需要高功率效率的应用场合，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理。

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HUF76121SK8是Intersil公司生产的一款N沟道电源MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺制造。该工艺技术可实现最低的硅面积开关电阻，从而实现卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。它设计用于在功率效率很重要的应用中使用，例如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。以前为开发型号TA76121。

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这份文件介绍了HUF76121P3和HUF76121S3S两款产品的特点和特性。这些产品是N沟道功率MOSFET，采用了创新的UltraFET™工艺制造。具有逆变模式下高能量耐受能力，二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。适用于对功率效率要求高的应用领域，如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携和电池操作产品的电源管理。

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HUF76105DK8是Intersil公司生产的一款低导通电阻（RDS(ON) = 0.050 Ω）的N沟道功率MOSFET，工作电压为30V，最大电流为5A。该器件适用于需要高功率效率的应用场合，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理。

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该文件介绍了HUF76013P3和HUF76013D3S两款20A、20V、0.022 Ohm的N沟道逻辑电平功率MOSFET。这些器件在用作同步降压应用中的上级开关时经过优化，具有低门电荷和低输入电容，从而降低驱动器和开关损耗，提高整个系统的效率。

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