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更新: 30 September, 2023
APT1001R1BN和APT1001R3BN是N通道增强型MOSFET，其额定漏源电压为1000V，连续漏源电流为10.5A和10.0A，漏源电阻为1.10Ω和1.30Ω。
文件格式: PDF
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MD5: 200D2A101ADB018C0370491A1E924532
发布时间: 11 July, 2012
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连接: ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT1001R1BN/APT1001R3BN 数据手册 PDF