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更新: 30 September, 2023
该数据手册介绍了PBSS4140DPN低Vcesat NPN/PNP晶体管的特点特性，产品特点包括600 mW的总功耗、低集电-发射饱和电压、高电流能力等。
文件格式: PDF
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MD5: E9EDC51DAAFA3C15E84AA87C36742E78
发布时间: 03 July, 2012
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连接: philips PBSS4140DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor 数据手册 PDF