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更新: 29 September, 2023
该文件介绍了PBSS3515VS型号的15V低VCEsat PNP双晶体管的特点和特性，包括300 mW总功耗、超薄封装、低饱和压降、高电流能力等。
文件格式: PDF
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MD5: 727B72D0DC7D4D27E02E3AE4138459F7
发布时间: 03 July, 2012
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连接: philips PBSS3515VS 15 V low VCEsat PNP double transistor 数据手册 PDF