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更新: 30 September, 2023
IRFD420 HEXFET® Power MOSFET是一款高性能、低阻抗、快速开关的N沟道MOSFET。该器件具有500V的击穿电压、3.0欧姆的导通电阻和3.0安培的峰值电流。IRFD420采用4引脚DIP封装，适用于自动插入、堆叠和串联。
文件格式: PDF
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MD5: 14C919EF70A6AA926BCE7DCEFF6DC7DA
发布时间: 07 June, 2012
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连接: International IOR Rectifier IRFD420 数据手册 PDF