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更新: 30 September, 2023
Eon Silicon Solution, Inc. 于 2003 年推出 EN29F040A 4 兆位闪存，支持快速读取、写入和擦除操作。该闪存采用 0.23 微米三金属双多晶三井阱 CMOS 闪存技术，具有 100K 耐久周期，可在商用和工业温度范围内工作。
文件格式: PDF
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MD5: D6EE49E2F02057D4D87EDC05DB34D76E
发布时间: 07 June, 2012
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