philips Si9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor 数据手册
Si9956DY是一种双N沟道增强模式场效应晶体管，采用TrenchMOS™1技术，具有低导通电阻和快速开关特性。适用于DC-DC转换器、直流电机控制、锂离子电池应用、笔记本电脑和便携设备应用。
厂商: 飞利浦
文件类型: PDF
文件大小: 254 KB
文件校验: 074A9921E874DC026E68F30CD5F6365C
上传时间: 2012-05-10 00:08:00
下载统计: 499
PDF下载链接: philips Si9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor 数据手册 PDF