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更新: 28 September, 2023
这份文件介绍了国际整流器的HEXFET®功率MOSFET PD - 9.1239D第五代技术的特点。该器件具有超低导通电阻、双N沟道、表面贴装等特性，适用于各种应用。它采用先进的工艺技术，实现了每平方硅片面积上最低的导通电阻。同时，它具有快速开关速度和坚固的设计，是一种极高效的器件。该器件的封装经过改进，具有良好的热特性和多芯片能力，适用于各种功率应用。通过这些改进，可以在应用中使用多个器件，大大减少了电路板空间。该封装适用于蒸汽相、红外或波峰焊接工艺。在典型的PCB安装应用中，可以实现大于0.8W的功耗。
文件格式: PDF
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MD5: 09A5810E8CB3B8299643624D1B13AEEC
发布时间: 10 April, 2012
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连接: INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7303 HEXFET Power MOSFET 说明书 PDF